0371-5536 5392 0371-5519 9322
本設(shè)備為單靶磁控鍍膜儀，可用于金屬薄膜的制備，在電子領(lǐng)域、光學(xué)領(lǐng)域、特殊陶瓷制備等領(lǐng)域均有應(yīng)用，也可實驗室SEM樣品制備。
本套配置采用高真空不銹鋼腔體，腔體設(shè)置帶擋板的石英觀察窗，便于實驗的觀察記錄；腔體設(shè)計真空性能優(yōu)良，造型小巧，十分適合實驗室使用。
設(shè)備采用下置靶設(shè)計，和上置靶相比這種設(shè)計能夠更好的規(guī)避屏蔽罩因長時間鍍膜而產(chǎn)生的薄膜碎片脫落的問題，可以更有效的保護樣品。
同時設(shè)備配有旋轉(zhuǎn)加熱樣品臺，可以有效提高薄膜的均勻性和成膜的質(zhì)量。整機采用模塊化設(shè)計，操作邏輯簡單，操作界面直觀，利于上手。
單靶磁控鍍膜儀技術(shù)參數(shù)：
產(chǎn)品名稱
桌面型下置靶不銹鋼腔體單靶磁控濺射鍍膜儀
產(chǎn)品型號
CY-MSP190S-1T-UD （under下方）
安裝條件
1、使用環(huán)境溫度 25℃±15℃，濕度 55%Rh±10%Rh；
2、設(shè)備供電：AC220V，50Hz，必須有良好接地；
3、額定功率：1000w；
4、設(shè)備用氣：設(shè)備腔室內(nèi)需充注氬氣清洗，需客戶自備氬氣，純度 ≥99.99%；
5、擺放工作臺尺寸要求 600mm×600mm×700mm，承重 50kg 以上；
6、擺放位置要求通風(fēng)散熱良好。
技術(shù)參數(shù)
1、 濺射電源：直流電源300W；*大輸出電壓600V，極限輸出電流500mA
2、 磁控靶：下置2英寸平衡靶，配磁耦合擋板；
3、 磁控靶適用靶材： φ50mm x 3mm厚
4、 腔體尺寸：外徑φ194mm ，內(nèi)徑186mm x 高230mm；
5、 腔體材質(zhì)： 304不銹鋼
6、 旋轉(zhuǎn)加熱樣品臺：轉(zhuǎn)速1~20rpm 連續(xù)可調(diào)；加熱溫度*高500℃，升溫速度推薦10℃/min，*高20℃/min。
7、 冷卻方式：磁控靶及分子泵需要循環(huán)水冷機；
8、 水冷機：水箱容積9L，流速10L/min
9、 供氣系統(tǒng)：質(zhì)量流量計， 氣體類型Ar氣，流量1~30sccm（可定制）；
10、 流量計精度：±1.5%量程
11、 真空腔體抽氣接口為 KF40；
12、 進氣接口為 1/4 英寸雙卡套接頭；
13、 顯示屏為7英寸彩色觸摸屏；
14、 可調(diào)節(jié)濺射電流，可設(shè)置濺射**電流值、**真空值；
15、 **保護：過流、真空過低自動切斷濺射電流；
16、 極限真空：5E-4Pa(搭配分子泵)；
17、 真空測量為電阻規(guī)真空計，其量程為：1～105Pa
注意事項
1、磁控濺射工作真空較高，一般在2Pa之內(nèi)，需要配分子泵使用。
2、為了達到較高的無氧環(huán)境，至少要用高純惰性氣體對真空腔體清洗 3 次。
3、磁控濺射對進氣量比較敏感，需要使用質(zhì)量流量計控制進氣量
可選配件
膜厚監(jiān)測儀
1、膜厚分辨率：0.0136?（鋁）
2、膜厚準確度：±0.5%，取決于過程條件，特別是傳感器的位置，
材料應(yīng)力，溫度和密度
3、測量速度：100ms-1s/次，可設(shè)置測量范圍：500000?（鋁）
4、標準傳感器晶體：6MHz
5、適用晶片頻率：6MHz 適用晶片尺寸：Φ14mm 安裝法蘭：CF35
其他配件
1、CY-CZK103系列高性能分子泵組（含復(fù)合真空計，測量范圍10-5Pa~105Pa）；
CY-GZK60系列小型分子泵組（含復(fù)合真空計，測量范圍10-5Pa~102Pa）
VRD-4雙極旋片真空泵；
2、KF40真空波紋管；長度可選0.5m、1m、1.5m；KF40卡箍支架
3、膜厚儀晶振片；
